四探針液晶電阻率測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)參考國標(biāo)單晶硅物理測(cè)試方法及A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.

產(chǎn)品型號(hào)：BX-Y1218A

更新時(shí)間：2025-02-10

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

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產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

電工儀表

靜電測(cè)試儀其它電工儀表交直流電源阻抗測(cè)試儀電力行業(yè)發(fā)生器測(cè)高儀變壓器測(cè)試儀電容電感測(cè)試儀諧波分析儀電力質(zhì)量分析儀繼電保護(hù)測(cè)試儀絕緣子測(cè)試儀伏安表頻率表周波表指示儀相序表電流表電流測(cè)定儀電纜故障測(cè)試電壓電阻測(cè)試儀

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關(guān)鍵詞：四探針液晶電阻率測(cè)試儀

電阻率測(cè)試儀系統(tǒng) 四探針電阻率測(cè)試儀導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀高精度電阻率測(cè)試儀表面體積電阻率測(cè)試儀

產(chǎn)品用途：

覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試

硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等），金屬膜，導(dǎo)電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率導(dǎo)電性油漆，導(dǎo)電性糊狀物，導(dǎo)電性塑料，導(dǎo)電性橡膠，導(dǎo)電性薄膜，金屬薄膜，EMI防護(hù)材料，導(dǎo)電性纖維，導(dǎo)電性陶瓷等，提供中文或英文兩種語言操作界面選擇.

儀器特點(diǎn)：

四探針液晶電阻率測(cè)試儀采用四探針組合雙電測(cè)量方法，液晶顯示，自動(dòng)測(cè)量，自動(dòng)量程，自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)參考國標(biāo)單晶硅物理測(cè)試方法及A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.

技術(shù)參數(shù)：

1.方塊電阻 10^-5～2×10^5Ω/□

2.電阻率 10^-6～2×10^6Ω-cm

3.測(cè)試電流 0.1μA.μA.0μA，100μA，1mA，10mA，100mA

4.電流精度 ±0.1%

5.電阻精度 ≤0.3%

6.顯示讀數(shù) 屏液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度、電導(dǎo)率

7.測(cè)試方式雙電測(cè)量

8.電源輸入:AC220V±10%.50Hz功耗：<30W

9.誤差 ≤3%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果）

10.選購功能選購1.pc軟件；選購2.方形探頭；選購3.直線形探頭；選購4.測(cè)試平臺(tái)；5.標(biāo)準(zhǔn)電阻.

11.測(cè)試探頭探針間距選購：1mm；2mm；3mm三種規(guī)格;探針材質(zhì)選購：碳化鎢針;白鋼針；鍍金磷銅半球形針